国产闪存创造新高度：瞬间提速5倍！

在5月10日举行的第九届松山湖IC论坛上，兆易创新宣布推出第一颗国产高速八口SPI NOR闪存产品“GD25LX256E”，最高频率达200MHz，数据吞吐量达到了现有产品的5倍。

同时，该闪存符合最新的JEDEC JESD251标准规范，可以满足车载高速读取需要。

它还内置了ECC错误校验算法，可大幅度延长使用寿命，IO CRC冗余校验功能则为高速系统设计提供了保障。

兆易创新表示，GD25LX256E将广泛用于对性能有极高要求的车载、AI、IoT等领域。

说起闪存，大家对于eMMC、NAND都很熟悉，NOR闪存其实也是很重要的非易失性存储技术之一，而且历史更悠久，早在1988年就由Intel发明了出来，一改EPROM、EEPROM一统天下的局面，NAND闪存则是一年后东芝发明的。

NOR、NAND闪存主要是连接存储单元的方式、读取写入存储器的接口不同，其中NOR闪存内部存储单元以平行方式连接到比特线，允许随机访问，读取速度更快，但写入速度偏慢，而且擦除单元更大，相应的擦除电路也更多。

兆易创新公司成立于2005年4月，是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司，研发人员占比达55％，覆盖各类存储器、控制器和周边产品，主要产品有NOR闪存、NAND闪存、MCU微控制器等。