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意想不到的国产长鑫颗粒!朗科绝影RGB DDR4-3200 CL14内存评测:唯一媲美三星 还更便宜

zhiyongz 3年前 (2021-12-07) 阅读数 #内存

一、前言:接班三星B-Die的国产长鑫内存颗粒

   说到朗科,很多人第一时间会想到U盘。其实作为U盘的发明者,朗科除了生产U盘和闪存之外,还涉猎到了内存、SSD固态盘等领域,也许很多人并不知道。

意想不到的国产长鑫颗粒!朗科绝影RGB DDR4-3200 CL14内存评测:唯一媲美三星 还更便宜 朗科RGB DDR4-3200内存评测 第1张

刚刚拿到这款朗科绝影RGB DDR4-3200 CL14限量版内存的时候,第一反应就是应该是采用了绝版的三星B-Die颗粒。

目前DDR4颗粒中,也只有特挑的B-Die才能在3200MHz以上的频率上达成C14时序(14-14-14-34),正常体质只能14-16-16-36。

我们熟知的海力士CJR颗粒,虽然可以轻松达到很高的频率,但是高频C14时序对它来说几乎是不可能实现的事情。

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然而我们没有想到的是,这款朗科绝影RGB DDR4-3200 14-14-14-34限量版内存用的竟然是国产的长鑫颗粒!!!!

这绝对是第一款纯国产的高规格DDR4内存。

此次朗科发布的绝影RGB DDR4内存一共有3种型号,我们拿到的3200MHz 14-14-14-34属于限量版。

另外还有两种量产版,规格分别是3200MHz 14-16-16-36 1.35V、3600MHz 16-18-18-38 1.35V,时序都有所放宽,但依然是非常高端的档次。

二、图赏:电镀银工艺+ 可控RGB灯效

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包装盒正面左上角是朗科的中英文Logo,右上角显示可以支持主流主板的神光同步效果。

右下角写着终身保固。

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包装盒背面介绍了一些内存的特性,可调RGB灯效、特挑颗粒等等。

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内存的马甲采用了电镀银工艺,类似镜面,通电之后,镜面对RGB光效会产生反射效果。

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散热马甲采用的是5052系,厚度0.8mm的铝材制造,经冲压一体成型,表面使用了电镀银工艺,有镜面反光效果,不过也比较容易收集指纹。

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另一面的贴纸上可以看到内存的规格,DDR4 3200MHz,时序14-14-14-34,电压1.35V,单条容量8GB。

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拆下散热马甲,从左到右依次是2个铝制散热片,PCB本体、导光棒。

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内存采用单面设计,一面有8颗内存颗粒。

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另外一面是空的。

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特挑的长鑫颗粒,毕竟做到3200MHz 14-14-14-34并不是那么容易。

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为了实现神光同步,也就是让玩家自由设置RGB灯效,朗科在内存的PCB板上集成了一颗ENE 6K5830UA0芯片,用于控制灯效。

目前市面上绝大多数支持RGB灯效的内存都没有专门的控制芯片,也就是说无法让玩家控制灯效,当然也无法做到神光同步效果。

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三、超频测试:1.4V电压可超4000MHz 18-18-18-39

测试平台如下

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为了验证内存的兼容性,我们在AMD和Intel平台上分别进行了测试。

比较奇怪的事情就是,在微星Z590 ACE主板上很难点亮,诊断卡显示E0,但是在几块华硕和技嘉的板子上却没有任何问题。

1、AIDA64内存缓存测试

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CPU-Z可以检测出一部分参数,朗科制造、长鑫颗粒、内存型号是Limited Edition,也就是限量版。

内置了2组XMP参数,分别是3200MHz 14-16-16-36和3200MHz 14-14-14-34,电压都是1.35V。

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这是直接开启XMP后的测试数据,内存的读取、写入和复制带宽分别为46662MB/s、46042MB/S、40460MB/s,而内存的延迟则为51.8ns。

2、超频测试

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不需要调整电压就可以超频到3600MHz,只不过时序需要稍微放宽到15-16-16-36,此时内存延迟降到了49.7ns。

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将电压调到1.4V之后,可以超频到4000MHz,时序为18-18-18-39,实测内存读取读取、写入和复制带宽分别为57550MB/s、56686MB/S、50128MB/s,此时延迟降到了46.7ns,这个数字要强于市面上绝大多数4000MHz的DDR4内存。

3、超频稳定性测试

超频到4000MHz的时候我们只是内存电压调到了1.4V,其他电压全自动。

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主板给的自动电压,VCCIO的1.3V还算正常,不过VCCSA的电压达到了1.57V,建议手动调整一下,最好不要超过1.4V。

使用MemtestPro 4.3测试超频后的稳定性,总计测试了2小时48分钟,测试期间出现了一个报错,不过也就仅此一个。

一般来说,一个报错对于系统的稳定性都不会造成什么影响,当然,如果是0报错就更好了。

四、总结:国产DDR4颗粒第一次媲美三星

经历了12代酷睿、DDR5内存的洗礼之后,现在大家都知道了内存延迟的重要性。过高的延迟导致DDR5需要5200MHz以上的频率,才能在游戏性能上勉强胜出3600MHz的DDR4内存。

对于内存而言,降低时序无外乎2种方法:提升频率、降低时序。

首先说频率,今时今日,不论是AMD平台还是Intel平台,DDR4内存最佳频率都是3600/3800MHz,更高的频率会导致AMD FCLK和Intel的内存控制器频率减半,内存延迟暴涨,得不偿失。

至于时序,我们前面也说到了,此前只有三星B-Die可以做到高频C14时序,而长鑫则是第二家能做到3200MHz 14-14-14-34的内存厂商。

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再来说说这款朗科绝影RGB DDR4-3200 CL14内存。

我们在测试中发现了几个问题,首先是它对于特定型号的微星主板支持不是太好,但是华硕、技嘉则完全没有任何问题。

在超频方面,这款内存可以在默认1.35V电压下超频到3600MHz 15-16-16-36,稍微加压到1.4V之后,可以稳定在4000MHz 18-18-18-39并能通过Memtest稳定性测试。

很奇怪的是,在1.4V之后继续加压并不能提升内存频率了,有点不合常理。

针对这部分超频上的限制问题,据朗科内存产品负责人透露,他们目前正在积极与主板厂的BIOS团队针对长鑫颗粒做超频优化调教,希望能为国产颗粒生态圈的完善出一分力量。

不过频率超过4000MHz之后,在主流平台上,DDR4内存的游戏性能其实是不升反降的,所以也不用太过纠结4000MHz以上的频率。

B-Die颗粒早已停产,市面上的存货价格都相对昂贵,这一点国产颗粒的优势就来了,在价格上长鑫的特挑颗粒售价要远低于三星B-Die。

对于想要体验高性能内存的小伙伴而言,朗科绝影RGB DDR4-3200 CL14内存可算是一个非常合理的选择。

最后,根据朗科透漏给我们的消息,他们已经挑出了一批DDR4 4000MHz 17-18-18-36 1.35V内存,现在对国产颗粒稍微有了那么一点点期待

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