可实现存储芯片无限次擦写!中国科学家开发出无疲劳铁电材料登上Science
快科技6月9日消息,据媒体报道,中国科学家成功开发出一种无疲劳铁电材料,并在国际顶级学术期刊《Science》上发表研究成果。
传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制,稳定性随使用时间推移而降低,这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。
研究团队基于二维滑移铁电机制,开发出一种新型的二维层状滑移铁电材料(3R-MoS2),该材料制备的存储芯片有望突破读写次数限制,实现无限次读写。
该研究的核心在于利用"层间滑移"替代传统铁电材料的"离子移动",通过AI辅助的跨尺度原子模拟分析,揭示了二维滑移铁电材料抗疲劳的微观物理机制。
实验表明,采用该材料制备的铁电芯片器件在经历400万次循环电场翻转极化后,电学曲线测量显示铁电极化仍未出现衰减。
此项技术不仅极大提升了存储芯片的可靠性和耐久性,还有助于降低成本,提升存储密度,未来有望在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域发挥重要作用。
传统铁电材料和二维滑移铁电材料的疲劳特性
3R-MoS2铁电器件的抗疲劳性能分析
3R-MoS2铁电器件的疲劳特性
版权声明
本站所有文章来源于本站原创或网络,如有侵权请联系删除。文章观点并不代表本站观点,请网友自行判断,如涉及投资、理财请谨慎应对!
发表评论:
◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。